Unaxis HDP
- 儀器中文名稱：高密度電漿蝕刻系統
- 儀器廠牌及型號：Unaxis / Nextral 860L
- 設備規格：
- Plasma generator：
2000 W 2.45 GHz HF generator for HDP mode
300 W 13.56 MHz RF generator for RIE mode - Gas：
Cl2、BCl3、SiCl4、SF6、CH4、H2、Ar、O2、He、N2 - Real time access to numerous etching modes：
RIE、HDP、RIE+HDP - Etching depth：
End-Point Detector monitoring - Wafer Size： Max. 8inch
- Plasma generator：
- 儀器功用：化合物半導體乾性蝕刻
- 財產編號：3070114-003-0002
- 購置日期：2002年4月
- 廠商：百瑟
SENTECH ICP
- 儀器中文名稱：電感耦合電漿蝕刻系統
- 儀器廠牌及型號：SENTECH SI 500
- 設備規格：
- Power：
ICP source power ≦ 1200W
RF power (substrate) ≦ 600W - Substrate heating:20℃~200℃
- Operating pressure：< 10mtorr
- Four gas line：BCl3、Cl2、O2、Ar
- Etch material：GaN、InP、Sapphire
- Wafer size：4inch
- Power：
- 儀器功用：乾蝕刻
- 財產編號：3070114-003-00377
- 購置日期：2006年12月
- 廠商：佳霖
RIE
- 儀器中文名稱：活性離子電漿蝕刻系統
- 儀器廠牌及型號：Advance Vacuum /Vision 320
- 設備規格：
- RF Power：600W/13.56MHZ/auto-matching
- Wafer size：270 mm (max.) & pieces
- Operating pressure：< 100 mTorr
- Process gas：
H2、CF4、CHF3、SF6 、Ar 、O2 - Etching material：
Si 、SiO2、Si3N4 、PR 、BCB - Etching mask：PR、SiO2、Si3N4
- Etching Rate：
Si (20 nm/min.)、SiO2 (30 nm/min.)、Si3N4 (60 nm/min.) 、PR (40 nm/min.)
- 儀器功用：矽基材料及光阻之電漿乾蝕刻製程
- 財產編號：300114-003-379
- 購置日期：2012年10月
- 廠商：微士貿易有限公司
BMR CVD
- 儀器中文名稱：感應式耦合電漿化學氣象沉積
- 儀器廠牌及型號：BMR-FP2319R2
- 設備規格：
- Power supply：600W (CW) and 13.56MHz operation frequency
- Substrate heating：0℃~380℃
- Gas Cabinet：Ar、O2、SiH4、NH3、CF4
- Turbomolecular Pump：Over 40 liter/sec
- Mechanical Pump：Over 25cfm dry pump
- Electrical Power：AC 220V、45 Amper、3 phase、60Hz
- 儀器功用：低溫高密度之SiO2及Si3N4膜之沉積
- 財產編號：3013208-17-00001
- 購置日期：2006年12月
- 廠商：帆宣
SAMCO PECVD
- 儀器中文名稱：電漿輔助化學氣相沉積系統
- 儀器廠牌及型號：SAMCO PD-220N
- 設備規格：
- RF Power：
300W /13.56 MHz / auto-matching - Operating pressure：< 700 mTorr
- Substrate Heating：
Up to 350℃ ±3℃@ ≧ 6” - Wafer Size：8” (max.) & pieces
- Process Gas：SiH4(10%)、N2、NH3、TEOS、N2O、CF4、O2
- Deposition Films：SiO2、TEOS-SiO2 、Si3N4
- Deposition Rate：SiO2 (≧ 50 nm/min.) 、TEOS-SiO2 (≧ 50 nm/min.) 、Si3N4 (≧ 30 nm/min.)
- RF Power：
- 儀器功用：光電元件蝕刻阻擋層或鈍化層介質薄膜沉積製程
- 財產編號：3100103-586-243
- 購置日期：2013年12月
- 廠商：日商莎姆克
Sputter
- 儀器中文名稱：離子濺鍍機
- 儀器廠牌及型號：HELIX
- 設備規格：
- Vacuum performance：5*10-5 torr (15min)
- Magnetron sputter cathode：4inch sputter source (2 set)
- RF power supply：1 KW
- DC power supply：3 KW
- Target：Si、W、SiO2、AlN、Si3N4、Al、ITO、IZO
- 儀器功用：濺鍍金屬及介質薄膜
- 財產編號：3100102-14-8
- 購置日期：2000年11月
- 廠商：和立聯和
- 改機日期：2011年3月
- 廠商：東銳
E-gun
- 儀器中文名稱：電子槍蒸鍍系統
- 儀器廠牌及型號：ULVAC EVA-E500
- 設備規格：
- Power supply：max. 300 W
- Substrate heating：0℃~300℃
- Working pressure：5*10-6 torr (20min)
- Metal source：Au、Al、Ni、Ti、Pt 、GeAu
- 儀器功用：蒸鍍金屬薄膜
- 財產編號：3100102-14-0010
- 購置日期：2001年3月
- 廠商：台灣日真
E-gun/Thermal
- 儀器中文名稱：高真空電子束暨熱阻式蒸鍍系統
- 儀器廠牌及型號：ULVAC
- 設備規格：
- Power supply：
10 KW (e-gun), 5 KW (thermal) - Substrate heating：0℃~300℃
- Operating pressure：2*10-6 torr (20min)
- Crucible holder can be put four crucibles
- metal source：
Al、Ni、Ti、Pt、Au、Pd
- Power supply：
- 儀器功用：高品質金屬薄膜蒸鍍
- 財產編號：3100102-14-13
- 購置日期：2002年12月
- 廠商：優貝克
Thermal Coater
- 儀器中文名稱：高真空熱阻式蒸鍍系統
- 儀器廠牌及型號：I Shien SPS-302
- 設備規格：
- Power supply：max. 7.7 KW
- Working pressure：5*10-5 torr (20min)
- Wafer size：4inch
- Metal source：Au、Al、Ni、Ti、Cr
- 儀器功用：蒸鍍金屬薄膜
- 財產編號：3100102-14-163
- 購置日期：2009年2月
- 廠商：乙先
Furnace
- 儀器中文名稱：高溫擴散退火爐
- 儀器廠牌及型號：海邦科技
- 設備規格：
- Tube (X3)：
temperature range： 400℃~1200℃
heating zone Length： 250 mm (1200±1℃)
stability of internal furnace： 1200±1℃ - Gas of diffusion：
N2（flow-meter/0~10 SLM）
O2（MFC/0~10 SLM） - Gas of annealing：
N2（flow-meter/0~10 SLM）
Forming Gas（MFC/0~100 SCCM）
- Tube (X3)：
- 儀器功用：擴散退火
- 財產編號：3100403-08-26
- 購置日期：2002年6月
- 廠商：海邦
ARTs-RTA
- 儀器中文名稱：快速退火爐
- 儀器廠牌及型號：Premtek / ARTs 150
- 設備規格：
- Chamber diameter：4 inch
- Cooing water：6 SLM, 30℃ max
- Compressed Air：5~6 kgf/cm2
- Temperature range：200℃~1200℃
- Heating rate max.：150 ℃/s
- 儀器功用：介質薄膜沉積(SiO2、Si3N4)
- 財產編號：3070114-003-0002
- 購置日期：2002年4月
- 廠商：百瑟
LPT-RTA
- 儀器中文名稱：快速退火爐
- 儀器廠牌及型號：LPT/ TM 100-BT
- 設備規格：
- Chamber Diameter：8 “ (max.)
- Chamber Water Cooling：
20 SLM @6 bar, 30℃ max. - Cooling Air：5~6 kgf/cm2
- Temperature range：200℃~1000℃ ±2℃
- Heating rate：100 ℃/s (max.)
- Wafer size：4” (max.) & pieces
- 儀器功用：離子佈植活化及材料熱退火處理
- 財產編號：3100401-33-146
- 購置日期：
- 廠商：
E-Beam Writer (II)
- 儀器中文名稱：電子束微影設備
- 儀器廠牌及型號：Raith / RAITH150-TWO
- 設備規格：
- Acceleration voltage：100 eV~30 KeV
- Probecurrent range：5 pA~20 nA
- Beam resolution：4 nm (30 keV)
- Current stability：≦ 0.5% / 8 hours
- Sample handling：full 4inch mask and wafer capability
- 儀器功用：電子束微影直寫奈米結構元件
- 財產編號：3100508-088-225
- 購置日期：2008年10月
- 廠商：技鼎
FE-SEM
- 儀器中文名稱：場發射掃描式電子顯微鏡
- 儀器廠牌及型號：HITACHI S-4300
- 設備規格：
- Magnification：20x~250,000x
- Electron gun：Cold-cathode field
emission electron gun - Accelerating voltage：0.5 to 30 kV
- Specimen Stage
X movement：0 to 100mm
Y movement：0 to 50mm
Z movement：0 to 35mm
Tilt：-5°to 60°
Rotation：360°
Specimen size：Max.102mm
- 儀器功用：奈微米元件輪廓測量
- 財產編號：3100708-126-5
- 購置日期：2001年6月
- 廠商：益弘
Mask Aligner (Q)
- 儀器中文名稱：光罩對準曝光機
- 儀器廠牌及型號：Quintel / Q4000-6IR
- 設備規格：
- Mask size capability：5 inch
- Chuck X-Y Range：+/-6 mm
- Chuck rotation range：+/-7 degree
- Mask/Wafer Separation：0~180 μm
- Resolution：1μm
- 儀器功用：各種元件微影製程之對準曝光
- 財產編號：3100708-103-1
- 購置日期：2001年10月
- 廠商：晶友
UV-Ozone Stripper
- 儀器中文名稱：紫外光臭氧清洗機
- 儀器廠牌及型號：SAMCO / UV-1
- 設備規格：
- Sample stage：Aluminum, 200 mm (7.8”) diameter
- Maximum substrate size：150 mm (6”) diameter
- Substrate temperature control：controllable from
ambient to 300℃(570℉) ±1℃ - UV light source：110 W low pressure mercury discharge tube
- Timer：digital readout, auto shut off
- 儀器功用：微影製程殘存物之去除與清潔
- 財產編號：3101103-141-36
- 購置日期：2002年6月
- 廠商：日商莎姆克
Mask Aligner (MA6)
- 儀器中文名稱：光罩對準曝光機
- 儀器廠牌及型號：SUSS / MA6
- 設備規格：
- Mask & Wafer Size：5/7 inch；150 mm (max.) & pieces
- Exposure Mode：soft, hard, low vacuum, vacuum
- Exposure Source & Resolution：Hg lamp (350 W)；down to 0.8 μm
- Alignment Methods：TSA & BSA
- Alignment Stage (X-Y-ϴ Range)：X: +/-10 mm； Y: +/-5 mm ； ϴ: +/-5。
- 儀器功用：各式光電元件之對準微影製程
- 財產編號：3100708-103-304
- 購置日期：2012年12月
- 廠商：休斯微
Alpha Step® Profiler
- 儀器中文名稱：表面輪廓儀
- 儀器廠牌及型號：KLA Tencor D 300
- 設備規格：
- Stylus forces：0.5 mg~15 mg
- Sample stage diameter：140mm(max.)
- Stage motion range：X-80；Y-20 mm(max.)
- Scan Length：30 mm (max.)
- Vertical range：1000 μm (max.)
- Vertical resolution：0.4 Å@1 μm
- Scan speed ：10 ~ 400 μm/sec.
- Sampling Rate: 5~2000 Hz
- View Range:≧ 3760 x 3120 μm
- 儀器功用：膜層厚度及表面輪廓量測
- 財產編號：3100605-49-00165
- 購置日期：2017年12月
- 廠商：辛耘企業
