微光電實驗室 ── 機台介紹:蝕刻類機台
Unaxis HDP
  • 儀器中文名稱:高密度電漿蝕刻系統
  • 儀器廠牌及型號:Unaxis / Nextral 860L
  • 設備規格:
    • Plasma generator:
      2000 W 2.45 GHz HF generator for HDP mode
      300 W 13.56 MHz RF generator for RIE mode
    • Gas:
      Cl2、BCl3、SiCl4、SF6、CH4、H2、Ar、O2、He、N2
    • Real time access to numerous etching modes:
      RIE、HDP、RIE+HDP
    • Etching depth:
      End-Point Detector monitoring
    • Wafer Size: Max. 8inch
  • 儀器功用:化合物半導體乾性蝕刻
  • 財產編號:3070114-003-0002
  • 購置日期:2002年4月
  • 廠商:百瑟
STS ICP
  • 儀器中文名稱:感應耦合電漿蝕刻系統
  • 儀器廠牌及型號:STS / Multiplex
  • 設備規格:
    • Plasma generator:
      1000 W 13.56 MHz RF generator
    • Bias control:
      300 W 13.56 MHz RF generator
    • Gas:
      SF6、C4F8、CF4、O2、Ar、Cl2、HBr、CH4
    • Auto loading system for 4” Si wafer
    • Etching depth:
      End-Point Detector monitoring
  • 儀器功用:矽材料乾性深蝕刻
  • 財產編號:3070114-003-1
  • 購置日期:2001年8月
  • 廠商:佳霖
SENTECH ICP
  • 儀器中文名稱:電感耦合電漿蝕刻系統
  • 儀器廠牌及型號:SENTECH SI 500
  • 設備規格:
    • Power:
      ICP source power ≦ 1200W
      RF power (substrate) ≦ 600W
    • Substrate heating:20℃~200℃
    • Operating pressure:< 10mtorr
    • Four gas line:BCl3、Cl2、O2、Ar
    • Etch material:GaN、InP、Sapphire
    • Wafer size:4inch
  • 儀器功用:乾蝕刻
  • 財產編號:3070114-003-00377
  • 購置日期:2006年12月
  • 廠商:佳霖
SAMCO ICP
  • 儀器中文名稱:電感式耦合電漿反應性離子蝕刻系統
  • 儀器廠牌及型號:SAMCO RIE-10ip
  • 設備規格:
    • RF power supply:
      ICP power 0~1000W
      BIAS power 0~300W
    • Wafer size: 4inch
    • Operating pressure:10-5 Pa
  • 儀器功用:SiO2 or Si3N4等四族介電質乾式蝕刻
  • 財產編號:3070114-003-00376
  • 購置日期:2006年8月
  • 廠商:佳霖
微光電實驗室 ── 機台介紹:沉積類機台
LPCVD
  • 儀器中文名稱:低壓化學氣相沉積系統
  • 儀器廠牌及型號:SSC / LP64H A54249
  • 設備規格:
    • Systems:low pressure (X3) and high,temp.oxidation (X1) furnace tubes for 4” wafe(50 wafers)
    • High temp. oxidation furnace tube:
      Wet oxidation thickness:100~5000 Å
      Dry oxidation thickness:50~600 Å
    • Si3N4 furnace tube:
      thickness:200~2000 Å
      Si-rich thickness:2000 Å
    • Si02 furnace tube:
      TEOS thickness:100~3000 Å
      TEOS/TEPO PSG thickness:2000~6000 Å
    • Poli-Si furnace tube:
      thickness:1000~3000 Å
  • 儀器功用:薄膜沉積(Poly-Si、Si3N4、SiO2)
  • 財產編號:3100802-065-24
  • 購置日期:2001年11月
  • 廠商:海邦
Unaxis PECVD
  • 儀器中文名稱:電漿輔助化學氣相沉積系統
  • 儀器廠牌及型號:Unaxis / Nextral D200
  • 設備規格:
    • Gas:
      SF6、N2、He、NH3、N2O、SiH4、CF4、O2
    • Plasma generator:
      300W 13.56 MHz RF generator
    • Temperature control of the plasma box:
      Eurotherm 2408 controller with two thermocouples
      (Control range80℃ to 320℃at±2℃)
    • Deposition depth:
      End-Point Detector monitoring
  • 儀器功用:介質薄膜沉積(SiO2、Si3N4)
  • 財產編號:3070114-003-0002
  • 購置日期:2002年4月
  • 廠商:百瑟
BMR CVD
  • 儀器中文名稱:感應式耦合電漿化學氣象沉積
  • 儀器廠牌及型號:BMR-FP2319R2
  • 設備規格:
    • Power supply:600W (CW) and 13.56MHz operation frequency
    • Substrate heating:0℃~380℃
    • Gas Cabinet:Ar、O2、SiH4、NH3、CF4
    • Turbomolecular Pump:Over 40 liter/sec
    • Mechanical Pump:Over 25cfm dry pump
    • Electrical Power:AC 220V、45 Amper、3 phase、60Hz
  • 儀器功用:低溫高密度之SiO2及Si3N4膜之沉積
  • 財產編號:3013208-17-00001
  • 購置日期:2006年12月
  • 廠商:帆宣
微光電實驗室 ── 機台介紹:蒸鍍類機台
Sputter
  • 儀器中文名稱:離子濺鍍機
  • 儀器廠牌及型號:HELIX
  • 設備規格:
    • Vacuum performance:5*10-5 torr (15min)
    • Magnetron sputter cathode:4inch sputter source (2 set)
    • RF power supply:1 KW
    • DC power supply:3 KW
    • Target:Si、W、SiO2、AlN、Si3N4、Al、ITO、IZO
  • 儀器功用:濺鍍金屬及介質薄膜
  • 財產編號:3100102-14-8
  • 購置日期:2000年11月
  • 廠商:和立聯和
  • 改機日期:2011年3月
  • 廠商:東銳
E-gun
  • 儀器中文名稱:電子槍蒸鍍系統
  • 儀器廠牌及型號:ULVAC EVA-E500
  • 設備規格:
    • Power supply:max. 300 W
    • Substrate heating:0℃~300℃
    • Working pressure:5*10-6 torr (20min)
    • Metal source:Au、Al、Ni、Ti、Pt 、GeAu
  • 儀器功用:蒸鍍金屬薄膜
  • 財產編號:3100102-14-0010
  • 購置日期:2001年3月
  • 廠商:台灣日真
E-gun/Thermal
  • 儀器中文名稱:高真空電子束暨熱阻式蒸鍍系統
  • 儀器廠牌及型號:ULVAC
  • 設備規格:
    • Power supply:
      10 KW (e-gun), 5 KW (thermal)
    • Substrate heating:0℃~300℃
    • Operating pressure:2*10-6 torr (20min)
    • Crucible holder can be put four crucibles
    • metal source:
      Al、Ni、Ti、Pt、Au、Pd
  • 儀器功用:高品質金屬薄膜蒸鍍
  • 財產編號:3100102-14-13
  • 購置日期:2002年12月
  • 廠商:優貝克
Thermal Coater
  • 儀器中文名稱:高真空熱阻式蒸鍍系統
  • 儀器廠牌及型號:I Shien SPS-302
  • 設備規格:
    • Power supply:max. 7.7 KW
    • Working pressure:5*10-5 torr (20min)
    • Wafer size:4inch
    • Metal source:Au、Al、Ni、Ti、Cr
  • 儀器功用:蒸鍍金屬薄膜
  • 財產編號:3100102-14-163
  • 購置日期:2009年2月
  • 廠商:乙先
微光電實驗室 ── 機台介紹:退火類機台
Furnace
  • 儀器中文名稱:高溫擴散退火爐
  • 儀器廠牌及型號:海邦科技
  • 設備規格:
    • Tube (X3):
      temperature range: 400℃~1200℃
      heating zone Length: 250 mm (1200±1℃)
      stability of internal furnace: 1200±1℃
    • Gas of diffusion:
      N2(flow-meter/0~10 SLM)
      O2(MFC/0~10 SLM)
    • Gas of annealing:
      N2(flow-meter/0~10 SLM)
      Forming Gas(MFC/0~100 SCCM)
  • 儀器功用:擴散退火
  • 財產編號:3100403-08-26
  • 購置日期:2002年6月
  • 廠商:海邦
ARTs-RTA
  • 儀器中文名稱:快速退火爐
  • 儀器廠牌及型號:Premtek / ARTs 150
  • 設備規格:
    • Chamber diameter:4 inch
    • Cooing water:6 SLM, 30℃ max
    • Compressed Air:5~6 kgf/cm2
    • Temperature range:200℃~1200℃
    • Heating rate max.:150 ℃/s
  • 儀器功用:介質薄膜沉積(SiO2、Si3N4)
  • 財產編號:3070114-003-0002
  • 購置日期:2002年4月
  • 廠商:百瑟
微光電實驗室 ── 機台介紹:量測機台
E-Beam Writer (II)
  • 儀器中文名稱:電子束微影設備
  • 儀器廠牌及型號:Raith / RAITH150-TWO
  • 設備規格:
    • Acceleration voltage:100 eV~30 KeV
    • Probecurrent range:5 pA~20 nA
    • Beam resolution:4 nm (30 keV)
    • Current stability:≦ 0.5% / 8 hours
    • Sample handling:full 4inch mask and wafer capability
  • 儀器功用:電子束微影直寫奈米結構元件
  • 財產編號:3100508-088-225
  • 購置日期:2008年10月
  • 廠商:技鼎
FE-SEM
  • 儀器中文名稱:場發射掃描式電子顯微鏡
  • 儀器廠牌及型號:HITACHI S-4300
  • 設備規格:
    • Magnification:20x~250,000x
    • Electron gun:Cold-cathode field
      emission electron gun
    • Accelerating voltage:0.5 to 30 kV
    • Specimen Stage
      X movement:0 to 100mm
      Y movement:0 to 50mm
      Z movement:0 to 35mm
      Tilt:-5°to 60°
      Rotation:360°
      Specimen size:Max.102mm
  • 儀器功用:奈微米元件輪廓測量
  • 財產編號:3100708-126-5
  • 購置日期:2001年6月
  • 廠商:益弘
Mask Aligner (K)
  • 儀器中文名稱:光罩對準曝光機
  • 儀器廠牌及型號:Karl-Suss / MJB-3
  • 設備規格:
    • Mask size capability:5 inch
    • Chuck X-Y Range:+/-6 mm
    • Chuck rotation range:+/-7 degree
    • Exposure time:0.1~999 s in 0.1s increment
    • Hg lamp:power(350 W), intensity(20 mW/cm2)
  • 儀器功用:各種元件微影製程之對準曝光
  • 財產編號:3101103-504-2
  • 廠商:休斯微
Mask Aligner (Q)
  • 儀器中文名稱:光罩對準曝光機
  • 儀器廠牌及型號:Quintel / Q4000-6IR
  • 設備規格:
    • Mask size capability:5 inch
    • Chuck X-Y Range:+/-6 mm
    • Chuck rotation range:+/-7 degree
    • Mask/Wafer Separation:0~180 μm
    • Resolution:1μm
  • 儀器功用:各種元件微影製程之對準曝光
  • 財產編號:3100708-103-1
  • 購置日期:2001年10月
  • 廠商:晶友
Dektak
  • 儀器中文名稱:表面輪廓儀
  • 儀器廠牌及型號:Veeco / Dektak 6M
  • 設備規格:
    • Stylus forces:1 mg~15 mg
    • Scan length:50 μm~30 mm.
    • Vertical range:50 Å~262 μm
    • Vertical resolution:1 Å/6.5 μm、10 Å/65.5 μm、40 Å/262 μm
    • Scan speed ranges:3 sec~100 sec
    • Sample stage diameter:150mm(6 in)
  • 儀器功用:元件厚度及表面輪廓量測
  • 財產編號:3100605-49-3
  • 購置日期:2002年9月
  • 廠商:台灣威科
UV-Ozone Stripper
  • 儀器中文名稱:紫外光臭氧清洗機
  • 儀器廠牌及型號:SAMCO / UV-1
  • 設備規格:
    • Sample stage:Aluminum, 200 mm (7.8”) diameter
    • Maximum substrate size:150 mm (6”) diameter
    • Substrate temperature control:controllable from
      ambient to 300℃(570℉) ±1℃
    • UV light source:110 W low pressure mercury discharge tube
    • Timer:digital readout, auto shut off
  • 儀器功用:微影製程殘存物之去除與清潔
  • 財產編號:3101103-141-36
  • 購置日期:2002年6月
  • 廠商:日商莎姆克
Ellipsometer
  • 儀器中文名稱:橢圓儀
  • 儀器廠牌及型號:Jobin Yvon / UVISEL M200
  • 設備規格:
    • Spectral range:UV-VIS (280nm~750nm)
    • Sample stage:
      >150mm stage,fine tuned independent z and title adjustment.
    • Sample stage:
      >150mm stage,fine tuned independent z and title adjustment.
    • Goniometer:more than 60°to 90°, set in <5°per step,accuracy better than 0.02°
    • Measurement time:typical ≦10 senconds
    • Sample Size: 6in Max.、Sample Thickness: 10nm Max.
  • 儀器功用:量測薄膜之厚度、折射率
  • 財產編號:3100605-48-43
  • 購置日期:2003年5月
  • 廠商:昇航